EMC整改、EMI整改、辐射整改、传导整改经验总结—芯通康科技


开关电源EMI 整改中,关于不同频段干扰原因及抑制办法:

EMC整改、EMI整改、辐射整改、传导整改经验总结

1MHZ 以内----以差模干扰为主

1、增大X 电容量;
2、添加差模电感;
3、小功率电源可采用PI 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可
选用较大些)。

1MHZ—5MHZ—差模共模混合,采用输入端并联一系列X 电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决,
1、对于差模干扰超标可调整X 电容量,添加差模电感器,调差模电感
量;
2、对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制;
3、也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107 一对普
通整流二极管1N4007。

5M—以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3 圈会对10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用;可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环.处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。

对于20–30MHZ,
1、对于一类产品可以采用调整对地Y2 电容量或改变Y2 电容位置;
2、调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值;
3、在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕
组的排布。
4、改变PCB LAYOUT;
5、输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;
6、在输出整流管两端并联RC 滤波器且调整合理的参数;
7、在变压器与MOSFET 之间加BEAD CORE;
8、在变压器的输入电压脚加一个小电容。
9、 可以用增大MOS 驱动电阻。

30—50MHZ 普遍是MOS 管高速开通关断引起,
1、可以用增大MOS 驱动电阻;
2、RCD 缓冲电路采用1N4007 慢管;
3、VCC 供电电压用1N4007 慢管来解决;
4、或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;
5、在MOSFET 的D-S 脚并联一个小吸收电路;
6、在变压器与MOSFET 之间加BEAD CORE;
7、在变压器的输入电压脚加一个小电容;
8、PCB 心LAYOUT 时大电解电容,变压器,MOS 构成的电路环尽可
能的小;
9、变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

50—100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起,
1、可以在整流管上串磁珠;
2、调整输出整流管的吸收电路参数;
3、可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD CORE
或串接适当的电阻;
4、也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹
卡MOSFET; 铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。
5、增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。
200MHZ 以上开关电源已基本辐射量很小,一般可过EMI 标准。

补充说明:


开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.
开关电源是高频产品,PCB 的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.
开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响。

请密切注意此点。
   主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC 有一
定的影响.请密切注意此点。

EMC整改、EMI整改、辐射整改、传导整改经验总结

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